专题集成电路研发及智能制造
上海市2024年度“探索者计划”（第一批）项目申报指南
发布时间：2024年08月23日
申报时间：
2024年09月02日 01:00 至
2024年09月19日 08:30
指南状态：申报截止
征集范围
- 1
- 2专题光电信息
- 3专题航空技术
- 4专题高性能导航
- 5专题材料科学
申报时间：
2024年09月02日 01:00至
2024年09月19日 08:30
方向1、互补场效应晶体管栅围寄生效应及器件性能提升方法研究
研究目标：
针对先进器件互补场效应晶体管（CFET）产业应用需求问题，研究揭示CFET栅围的复杂寄生分布特性，建立寄生特性高效提取方法以及晶体管精准物理模型，探索CFET器件性能提升技术，实现CFET器件特征频率提升10%，提供寄生单元电路的优化路径和设计方法，精度与稳定性误差低于5%。
研究内容：
基于CFET器件的物理原理、器件结构和寄生提取方法，研究三维片状堆叠结构中栅围寄生效应的存在形态、引入机制和减缓机理，研究寄生电容在片精准测量及标定技术建立在片阵列化fF级寄生电容分离抽取方案，形成在片阵列化极微小寄生特性高效测试技术及表征方法；建立涵盖栅围寄生效应的CFET精准紧凑物理模型，采用设计工艺协同优化（DTCO）开展CFET基本单元电路性能分析和寄生特性的电路优化设计，为CFET器件性能提升及电路优化设计提供理论和技术支撑。
经费额度：
- 定额资助
- 拟支持不超过2个项目，每项资助额度 100万元
方向2、先进金属互连材料和工艺研究
方向3、环栅晶体管器件可靠性研究
方向4、硅光激光器及其集成技术研究
方向5、超导红外感知存算一体器件研究
方向6、面向先进芯片制造工厂的智能管理模型及算法研究
申报要求除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求:
- 1、项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。
- 2、对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。
- 3、所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。
- 4、申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。
- 5、所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。
- 6、所有申报单位和项目参与人应遵守人类遗传资源管理相关法规和病原微生物实验室生物安全管理相关规定。
- 7、已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。
- 8、项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。
- 9、各研究方向同一单位限报1项。
- 10、申请人在申请前应向联合资助方了解相关项目的需求背景和要求。集成电路研发及智能制造领域（专题一），请联系戴老师，联系电话13651828289；光电信息领域（专题二），请联系李老师，联系电话18801795359；航空技术领域（专题三），请联系刘老师，联系电话18019192229；高性能导航领域（专题四），请联系王老师，联系电话18610410097；材料科学领域（专题五），请联系陆老师，联系电话13816867532。
- 11、申请项目评审通过后，申请人及所在单位将收到签订“探索者计划资助项目协议书”的通知。申请人接到通知后，应当及时与联合资助方联系，在通知规定的时间内完成协议书签订工作。
评审方式采用第一轮通讯评审、第二轮见面会评审方式
投诉与咨询
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