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2025年度基础研究计划“集成电路”项目申报指南
发布时间:2025年07月01日
申报时间:
2025年07月04日 01:00 至 2025年07月23日 08:30
指南状态:
申报中
征集范围
1
专题
光学刻蚀
2
专题
先进器件与材料
3
专题
人工智能赋能集成电路
4
专题
先进量测
5
专题
三维集成
6
专题
系统与计算
申报时间:
2025年07月04日 01:00至 2025年07月23日 08:30
方向1:强流电子束驱动的等离子体极紫外光源研究
申报项目
研究目标:
面向高功率极紫外光刻的需求,研究基于中能(<10MeV)强流电子束驱动的等离子体极紫外光源。对高重频(~100MHz)电子束驱动产生高温等离子体和极紫外辐射的全过程物理进行理论建模和高精度仿真,完成电子束与等离子体的关键参数优化,目标IF点产生>100W的极紫外辐射功率。
研究内容:
深入开展高重频强流电子束与等离子体相互作用的理论研究,构建多物理场耦合的模拟平台,精准模拟电子束电离连续气流产生等离子体、等离子体加热、等离子体辐射极紫外光等关键物理过程。基于模拟平台,开展电子束、气流、等离子体的参数优化和鲁棒性研究,提升极紫外光源的功率和稳定性。
执行期限:2025年09月30日至2027年09月30日
经费额度:
定额
资助
拟支持不超过
2
个项目,
每项资助额度
100
万元
方向2:光刻光源高精度光谱研究
申报项目
方向3:高功率激光驱动X射线光源研究
申报项目
方向4:亚20nm纳米孔/柱阵列的电子束光刻跨尺度作用及耦合机制研究
申报项目
方向5:嵌段共聚物界面协同缺陷修复研究
申报项目
方向6:嵌段共聚物分子微观动力学研究
申报项目
方向7:极微缩二维晶体管的非光刻制造研究
申报项目
方向8:纳米光刻基础研究
申报项目
方向9:嵌段共聚物高分子自组装动态原位表征研究
申报项目
申报要求
除满足前述相应条件外,还须遵循以下要求:
1、项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织,具有组织项目实施的相应能力。
2、对于申请人在以往市级财政资金或其他机构(如科技部、国家自然科学基金等)资助项目基础上提出的新项目,应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。
3、所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求,项目负责人应承诺所提交材料真实性,申报单位应当对申请人的申请资格负责,并对申请材料的真实性和完整性进行审核,不得提交有涉密内容的项目申请。
4、申报项目若提出回避专家申请的,须在提交项目可行性方案的同时,上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。
5、所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估,涉及科技部《科技伦理审查办法(试行)》(国科发监〔2023〕167号)第二条所列范围科技活动的,应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。
6、所有申报单位和项目参与人应遵守人类遗传资源管理相关法规和病原微生物实验室生物安全管理相关规定。
7、已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者,不得作为项目负责人申报。
8、项目经费预算编制应当真实、合理,符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。
9、各研究方向同一单位限报1项。
评审方式
采用第一轮通讯评审、第二轮见面会评审方式
投诉与咨询
8008205114(座机)、 4008205114(手机)
附件下载
暂无
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