专题先进光刻
上海市2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南
发布时间：2024年09月20日
申报时间：
2024年09月27日 01:00 至
2024年10月21日 08:30
指南状态：申报截止
征集范围
- 1
- 2专题未来芯片
- 3专题先进器件与材料
- 4专题面向集成电路的人工智能应用
- 5专题先进EDA工具
申报时间：
2024年09月27日 01:00至
2024年10月21日 08:30
方向1：面向稳定高功率极紫外光源生成的加速器参数自优化研究
研究目标：
针对自由电子激光技术生成极紫外高功率光源中由加速器参数非线性诱发的光源不稳定问题，探索新型加速器参数优化机制，实现光源功率稳定性优于5%。
研究内容：
研究大规模复杂通信网络决策优化等理论，发展加速器全局异构参数网络自调节自优化方法，开发加速器多参数协同优化策略，设计可有效提升高功率极紫外光源生成稳定性的加速器参数自优化方案。
经费额度：
- 定额资助
- 拟支持不超过1个项目，每项资助额度 300万元
方向2：极紫外光源光束稳定性监测与调节研究
方向3：极紫外光刻胶二次电子反应动力学研究
方向4：BEUV光源研究
方向5：基于多场调控的深紫外超分辨光刻研究
方向6：高分辨共聚物的精准合成与自组装研究
方向7：高分辨周期性共聚物微相分离退火研究
方向8：柱状相共聚物分离膜的分离机制研究
申报要求除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求:
- 1、项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。
- 2、对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。
- 3、所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。
- 4、申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。
- 5、所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。
- 6、已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。
- 7、项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。
- 8、各研究方向同一单位限报1项。
评审方式采用第一轮通讯评审、第二轮见面会评审方式
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